Notice
Recent Posts
Recent Comments
Link
일 | 월 | 화 | 수 | 목 | 금 | 토 |
---|---|---|---|---|---|---|
1 | ||||||
2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 |
9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 |
16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 |
23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 |
30 | 31 |
Tags
- 코로나바이러스
- 코위버
- 우한폐렴
- FPCB
- vray
- 배당주
- 실적주
- 5G
- 종목분석
- 주식
- 증시전망
- 유가전망
- 투자
- 코로나관련주
- 디스플레이관련주
- 재테크
- 자산관리
- VRAYRENDER
- 반도체관련주
- 저평가주
- FPCB관련주
- 5G기초공부
- 5g관련주
- 5G공부
- 3DMAX
- 원유치킨게임
- 자율주행관련주
- 코로나
- 2차전지관련주
- 5G투자공부
Archives
- Today
- Total
세상을 최적화하다
투자를 위한 [반도체, 5G 공부] 2편 : 바이어스 회로란? 본문
전기가 흐른다는건 전자가 움직인다는 것이고, 전자도 움직일 공간이 있어야 움직일 수 있습니다.
그 공간을 '홀' 이라고 부릅니다.
홀이 많은 금속은 P타입이라고 부르고
전자가 많은 금속은 N타입이라고 부릅니다.
P타입 반도체에는 N타입 금속을 도핑해야합니다.
도핑을 하고 나면 경계가 생기는 데 이 경계를 Junction이라고 합니다.
전자가 N타입에서 P타입으로 넘어가기 위해 Junction을 뛰어넘는 바이어스 에너지가 필요합니다.
전자가 흐르는 역바이어스와 순바이어스가 있으며 회로는 전자가 지나가는 통로입니다.
정션에 걸려있는 에너지가 쌓이다가 터져나간다면 '증폭' 이라고 하게됩니다.
Ex) 실리콘은 1,2볼트 (=밴드갭)에서 전자가 이동할 경우, 질화갈륨(GaN)은 3볼트(=밴드갭)에서 전자가 이동합니다.
그래서 질화갈륨(GaN)에 들어가는 양만큼의 전자를 실리콘에 넣을 경우 실리콘은 고장나게 됩니다.
따라서 더 많은 전기가 들어가지만 질화갈류밍 고효율이게 됩니다.
감사합니다.
꾸준히 분석 글 봐주셔서 감사드립니다. 좋은 하루 되세요!
'투자를 위한 공부' 카테고리의 다른 글
투자를 위한 [반도체, 5G 공부] 6편 : 5G 초광대역 통신 서비스(eMBB) - Multiple Access (0) | 2020.03.21 |
---|---|
투자를 위한 [반도체, 5G 공부] 5편 : 5G 초광대역 통신 서비스(eMBB) - New Waveform (0) | 2020.03.17 |
투자를 위한 [반도체, 5G 공부] 3편 : 5G Massive MIMO란? (0) | 2020.03.14 |
[반도체] 에너지 밴드 갭이란? (0) | 2020.03.12 |
5G 광통신 업계 용어 풀이 (0) | 2020.03.11 |